中国科研团队近期取得重大突破

光学芯片领域

· 天津大学药物科学与技术学院教授高文远团队针对黄芪根腐病研发新型生物抑菌剂，不仅能抑制根腐病，还能促进黄芪生长代谢。相关成果日前发表于国际权威期刊《化学工程杂志》。

· 中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队与合作团队联合开发了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工方法，结合晶圆级流片工艺，成功制备出钽酸锂光子芯片。

· 国家信息光电子创新中心（NOEIC）和鹏城实验室的光电融合联合团队完成2Tb/s硅光互连芯粒（chiplet）的研制和功能验证，在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。

量子技术领域

· 电子科技大学信息与量子实验室、清华大学，及中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制出全球首个氮化镓量子光源芯片。

· 中国科大科研团队基于中国科学家自主研发并命名的一种新型超导量子比特，实现了光子间的非线性相互作用，并进一步在此系统中构建出作用于光子的等效磁场以构造人工规范场，在国际上首次实现了光子的分数量子反常霍尔态。

半导体材料领域

· 浙江大学伍广朋教授团队利用自主开发的高活性有机硼催化剂，以二氧化碳和带有酸敏环状缩醛结构的环氧化合物为原料，制备了兼具高透明性碳酸酯主链和高酸敏性缩醛侧基的新型光刻胶成膜树脂。

· 哈工大科研团队在铪基铁电薄膜领域取得重要进展，为实现超快铁电存储提供依据。

· 中国科学院大学集成电路学院韦亚一教授课题组与北京理工大学光电学院马旭教授课题组开展合作，提出了一种适用于High NA EUV光刻系统的SMO算法，有效提升了光刻系统的成像质量。

· 北京大学雷霆课题组提出了半导体水凝胶设计策略，填补了传统水凝胶材料无法实现高性能电子电路的空白。

· 中国科学技术大学教授课题组与武汉大学刘胜院士团队合作，在国际上首次提出了新型三电极光电PN结二极管结构，构筑载流子调制新方法，实现了第三端口外加电场对二极管光电特性的有效调控。